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MCH5908H-TL-E

MCH5908H-TL-E

Nur als Referenz

Teilenummer MCH5908H-TL-E
PNEDA Teilenummer MCH5908H-TL-E
Beschreibung JFET 2N-CH 0.3W MCPH5
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.668
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MCH5908H-TL-E Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMCH5908H-TL-E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
MCH5908H-TL-E, MCH5908H-TL-E Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 290,75 KB)
PDFMCH5908G-TL-E Datenblatt Cover
MCH5908G-TL-E Datenblatt Seite 2 MCH5908G-TL-E Datenblatt Seite 3 MCH5908G-TL-E Datenblatt Seite 4 MCH5908G-TL-E Datenblatt Seite 5 MCH5908G-TL-E Datenblatt Seite 6

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MCH5908H-TL-E Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)16mA @ 5V
Stromaufnahme (Id) - max50mA
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id300mV @ 100µA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds10.5pF @ 5V
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max300mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall5-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket5-MCPH

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

15V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 5V

Stromaufnahme (Id) - max

50mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

600mV @ 100µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 5V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SC-72

Lieferantengerätepaket

3-SPA

2N4392

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

25mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

2V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 20V

Widerstand - RDS (Ein)

60 Ohms

Leistung - max

1.8W

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-206AA (TO-18)

2N4119A

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200µA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

2V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-206AF (TO-72)

2N3821

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/375

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

50V

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2.5mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

4V @ 0.5nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-72

2N5460_D74Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

750mV @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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