MCH5908H-TL-E
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| Teilenummer | MCH5908H-TL-E |
| PNEDA Teilenummer | MCH5908H-TL-E |
| Beschreibung | JFET 2N-CH 0.3W MCPH5 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.668 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MCH5908H-TL-E Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MCH5908H-TL-E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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MCH5908H-TL-E Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 16mA @ 5V |
| Stromaufnahme (Id) - max | 50mA |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 300mV @ 100µA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10.5pF @ 5V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | 300mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 5-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | 5-MCPH |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 25mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein) 60 Ohms Leistung - max 1.8W Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-206AA (TO-18) |
