2SK715V
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2SK715V | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | 2SK715V | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | JFET N-CH 50MA 300MW SPA | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 112 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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2SK715V Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SK715V |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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2SK715V Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 15V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 10mA @ 5V |
| Stromaufnahme (Id) - max | 50mA |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 600mV @ 100µA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10pF @ 5V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | 300mW |
| Betriebstemperatur | 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | SC-72 |
| Lieferantengerätepaket | 3-SPA |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie * FET-Typ - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 210µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 200mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3.5pF @ 2V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 100mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket VTFP |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max 30mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 5V @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 150mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-85 Lieferantengerätepaket SMini3-F2-B |
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 1V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 20V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 210µA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 600mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3.5pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 100mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SC-70 (SOT323) |
