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2N3821

2N3821

Nur als Referenz

Teilenummer 2N3821
PNEDA Teilenummer 2N3821
Beschreibung N CHANNEL JFET
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 7.848
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2N3821 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N3821
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
2N3821, 2N3821 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 45,69 KB)
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2N3822 Datenblatt Seite 2

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2N3821 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/375
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)50V
Drain to Source Voltage (Vdss)50V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)2.5mA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id4V @ 0.5nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds6pF @ 15V
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max300mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-206AF, TO-72-4 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-72

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-206AA (TO-18)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

150mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

4V @ 3nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 10V (VGS)

Widerstand - RDS (Ein)

5 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

22V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

12mA @ 5V

Stromaufnahme (Id) - max

50mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

0V @ 10µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9pF @ 5V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

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Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200µA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

300mV @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4.5pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

TF414T5G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50µA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

1mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

4V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

0.7pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

100mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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