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MX2N4857

MX2N4857

Nur als Referenz

Teilenummer MX2N4857
PNEDA Teilenummer MX2N4857
Beschreibung N CHANNEL JFET
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 8.334
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 12 - Jan 17 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MX2N4857 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMX2N4857
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs

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MX2N4857 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/385
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)40V
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)100mA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id6V @ 500pA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds18pF @ 10V
Widerstand - RDS (Ein)40 Ohms
Leistung - max360mW
Betriebstemperatur-65°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-206AA, TO-18-3 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-18 (TO-206AA)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

20V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

300µA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

8V @ 10µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

32pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

J113-D74Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

35V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

500mV @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

100 Ohms

Leistung - max

625mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

MMBF5462

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1.8V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

225mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 135°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2N4856UB

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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