MCH5908G-TL-E Datenblatt
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 300mV @ 100µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10.5pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 300mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 5-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 5-MCPH |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 16mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 300mV @ 100µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10.5pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 300mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 5-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 5-MCPH |
