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MMBF4119

MMBF4119

Nur als Referenz

Teilenummer MMBF4119
PNEDA Teilenummer MMBF4119
Beschreibung JFET N-CH 40V 0.225W SOT23
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $31,7292
100 ---------- $30,2418
250 ---------- $28,7545
500 ---------- $27,2672
750 ---------- $26,0278
1.000 ---------- $24,7884
Auf Lager 3.033
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MMBF4119 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMBF4119
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
MMBF4119, MMBF4119 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 389,63 KB)
PDFMMBF4119 Datenblatt Cover
MMBF4119 Datenblatt Seite 2 MMBF4119 Datenblatt Seite 3 MMBF4119 Datenblatt Seite 4 MMBF4119 Datenblatt Seite 5 MMBF4119 Datenblatt Seite 6 MMBF4119 Datenblatt Seite 7 MMBF4119 Datenblatt Seite 8

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MMBF4119 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)40V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)200µA @ 10V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id2V @ 1nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3pF @ 10V
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max225mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

4V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 20V

Widerstand - RDS (Ein)

30 Ohms

Leistung - max

625mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

500mV @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 20V

Widerstand - RDS (Ein)

100 Ohms

Leistung - max

1.8W

Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-18

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

4V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 20V

Widerstand - RDS (Ein)

30 Ohms

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23 (TO-236AB)

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1.5V @ 3nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 0V

Widerstand - RDS (Ein)

7 Ohms

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AC, TO-52-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-206AC (TO-52)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

35V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

50 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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