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U291-E3

U291-E3

Nur als Referenz

Teilenummer U291-E3
PNEDA Teilenummer U291-E3
Beschreibung JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 6.174
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U291-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerU291-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
U291-E3, U291-E3 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 65,6 KB)
PDFU291-E3 Datenblatt Cover
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U291-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)30V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)200mA @ 10V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id1.5V @ 3nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds160pF @ 0V
Widerstand - RDS (Ein)7 Ohms
Leistung - max500mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-206AC, TO-52-3 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-206AC (TO-52)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

625mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

BF247A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

600mV @ 100nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

50V

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

3mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

2V @ 100nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

325mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-18

BSR56,215

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

20mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

4V @ 0.5nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

25 Ohms

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23 (TO-236AB)

TF252-4-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

140µA @ 2V

Stromaufnahme (Id) - max

1mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

100mV @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3.1pF @ 2V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

30mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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