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BSR56,215

BSR56,215

Nur als Referenz

Teilenummer BSR56,215
PNEDA Teilenummer BSR56-215
Beschreibung JFET N-CH 40V 0.25W SOT23
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.618
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BSR56 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSR56,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
BSR56, BSR56 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 429,64 KB)
PDFBSR57 Datenblatt Cover
BSR57 Datenblatt Seite 2 BSR57 Datenblatt Seite 3 BSR57 Datenblatt Seite 4 BSR57 Datenblatt Seite 5 BSR57 Datenblatt Seite 6 BSR57 Datenblatt Seite 7 BSR57 Datenblatt Seite 8 BSR57 Datenblatt Seite 9 BSR57 Datenblatt Seite 10

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BSR56 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)40V
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)50mA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max20mA
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id4V @ 0.5nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Widerstand - RDS (Ein)25 Ohms
Leistung - max250mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23 (TO-236AB)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

8mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

800mV @ 0.5nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

60 Ohms

Leistung - max

625mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Serie

Military, MIL-PRF-19500/431

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

8mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

16pF @ 20V

Widerstand - RDS (Ein)

80 Ohms

Leistung - max

360mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

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TO-18

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

35V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

500mV @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

100 Ohms

Leistung - max

625mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

KSK596CBU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

20V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100µA @ 5V

Stromaufnahme (Id) - max

1mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

600mV @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3.5pF @ 5V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

100mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

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Serie

-

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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