BFR30,215
Nur als Referenz
| Teilenummer | BFR30,215 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | BFR30-215 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | NXP | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 155 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 20 - Apr 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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BFR30 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFR30,215 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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BFR30 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 4mA @ 10V |
| Stromaufnahme (Id) - max | 10mA |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 5V @ 0.5nA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | 250mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 (TO-236AB) |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - FET-Typ - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.2mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max 10mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 180mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) 200 Ohms Leistung - max 100mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-XFDFN Lieferantengerätepaket 3-ECSP1006 |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2.5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 800mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein) 375 Ohms Leistung - max 360mW Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92 |
