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BFR30,215

BFR30,215

Nur als Referenz

Teilenummer BFR30,215
PNEDA Teilenummer BFR30-215
Beschreibung JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
Hersteller NXP
Stückpreis
1 ---------- $1,9485
250 ---------- $1,8572
500 ---------- $1,7659
1.000 ---------- $1,6745
2.500 ---------- $1,5984
5.000 ---------- $1,5223
Auf Lager 155
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFR30 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFR30,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
BFR30, BFR30 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 271,49 KB)
PDFBFR30 Datenblatt Cover
BFR30 Datenblatt Seite 2 BFR30 Datenblatt Seite 3 BFR30 Datenblatt Seite 4 BFR30 Datenblatt Seite 5 BFR30 Datenblatt Seite 6 BFR30 Datenblatt Seite 7 BFR30 Datenblatt Seite 8 BFR30 Datenblatt Seite 9 BFR30 Datenblatt Seite 10 BFR30 Datenblatt Seite 11

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BFR30 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)-
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)4mA @ 10V
Stromaufnahme (Id) - max10mA
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id5V @ 0.5nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4pF @ 10V
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max250mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23 (TO-236AB)

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MMBFJ305

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

8mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

500mV @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

225mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

MMBFJ110

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

4V @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

18 Ohms

Leistung - max

460mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SuperSOT-3

JANTX2N4859

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

175mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

10V @ 500pA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V (VGS)

Widerstand - RDS (Ein)

25 Ohms

Leistung - max

360mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-18

2N5953

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2.5mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

800mV @ 100nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

375 Ohms

Leistung - max

360mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92

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