BFR30,215
Nur als Referenz
Teilenummer | BFR30,215 | ||||||||||||||||||
PNEDA Teilenummer | BFR30-215 | ||||||||||||||||||
Beschreibung | JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 | ||||||||||||||||||
Hersteller | NXP | ||||||||||||||||||
Stückpreis |
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Auf Lager | 155 | ||||||||||||||||||
Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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BFR30 Ressourcen
Marke | NXP |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | BFR30,215 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
Datenblatt |
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BFR30 Technische Daten
Hersteller | NXP USA Inc. |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 4mA @ 10V |
Stromaufnahme (Id) - max | 10mA |
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 5V @ 0.5nA |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
Widerstand - RDS (Ein) | - |
Leistung - max | 250mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Lieferantengerätepaket | SOT-23 (TO-236AB) |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - FET-Typ - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 8mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 500mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 225mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 25V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 4V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) 18 Ohms Leistung - max 460mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SuperSOT-3 |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 175mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 10V @ 500pA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 18pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein) 25 Ohms Leistung - max 360mW Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-18 |
Central Semiconductor Corp Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2.5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 800mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein) 375 Ohms Leistung - max 360mW Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92 |