EC3A04B-3-TL-H
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| Teilenummer | EC3A04B-3-TL-H |
| PNEDA Teilenummer | EC3A04B-3-TL-H |
| Beschreibung | JFET N-CH 10MA 100MW ECSP1006-3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.556 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 30 - Mai 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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EC3A04B-3-TL-H Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EC3A04B-3-TL-H |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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EC3A04B-3-TL-H Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1.2mA @ 10V |
| Stromaufnahme (Id) - max | 10mA |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 180mV @ 1µA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
| Widerstand - RDS (Ein) | 200 Ohms |
| Leistung - max | 100mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-XFDFN |
| Lieferantengerätepaket | 3-ECSP1006 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 25V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 500mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) 18 Ohms Leistung - max 625mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
