2N5116JTXL02
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| Teilenummer | 2N5116JTXL02 |
| PNEDA Teilenummer | 2N5116JTXL02 |
| Beschreibung | JFET P-CH 30V TO-18 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.932 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2N5116JTXL02 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2N5116JTXL02 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
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2N5116JTXL02 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| FET-Typ | - |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | - |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-206AA (TO-18) |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-71-6 Lieferantengerätepaket TO-71 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 25V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 12mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 1V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 500mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-78-6 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2.5mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max 10mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 180mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) 200 Ohms Leistung - max 100mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket SMCP |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 25mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein) 60 Ohms Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 8mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 800mV @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) 60 Ohms Leistung - max 250mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 (TO-236AB) |
