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Seite 2153/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
MX2N4393UB Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.586
MX2N4856 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/385 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 25 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager8.766
MX2N4856UB Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.178
MX2N4857 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/385 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 6V @ 500pA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 40 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager8.334
MX2N4857UB Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.730
MX2N4858 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/385 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager8.118
MX2N4858UB Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.894
MX2N4859 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/385 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 10V @ 500pA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 25 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager5.868
MX2N4860 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/385 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 6V @ 500pA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 40 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager6.408
MX2N4860UB Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.104
MX2N4861 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/385 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 360mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager3.870
MX2N5114 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500 FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90mA @ 18V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 10V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): 75 Ohms Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager5.814
MX2N5116 Microsemi	Transistoren - JFETs N CHANNEL JFET Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500 FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): 175 Ohms Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager8.370
NSVJ2394SA3T1G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs IC JFET N-CH LNA SC59-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 15V Drain to Source Voltage (Vdss): 15V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 32mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 700mV @ 100µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SC-59-3/CP3	Auf Lager1.375
NSVJ3557SA3T1G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs MOSFET N-CH 15V 32MA SC59 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 15V Drain to Source Voltage (Vdss): 15V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 300mV @ 100µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SC-59-3/CP3	Auf Lager5.796
NSVJ3910SB3T1G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 400mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: 3-CPH	Auf Lager44.190
NSVJ5908DSG5T1G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs NCH+NCH J-FET Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 15V Drain to Source Voltage (Vdss): 15V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 300mV @ 100µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5pF @ 5V (Typ) Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: SC-88AFL/MCPH5	Auf Lager8.874
NSVJ6904DSB6T1G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET -25V, 20 TO 40MA DUA Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): 78 mOhms Leistung - max: 700mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: 6-CPH	Auf Lager8.010
P1086 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 30V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 10V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): 75 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.934
P1086_D74Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 30V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 10V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): 75 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.248
P1086_D75Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 30V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 10V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): 75 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.262
P1087 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 30V 350MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): 150 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.322
P108718 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 30V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): 150 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.662
P1087_D74Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 30V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): 150 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.344
P1087_J18Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET P-CH 30V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): 150 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.490
PF5102 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 700mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Angebot anfordern
PF5103 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1.2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.056
PF53012 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1.7V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.122
PMBF4391,215 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 250MW SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager23.383
PMBF4392,215 NXP	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 250MW SOT23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager8.820

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