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Seite 2156/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
SST174-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 20MA SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 0V Widerstand - RDS (Ein): 85 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager7.452
SST175-T1-E3 Vishay Dale	Transistoren - JFETs MOSFET P-CH JFET 30V SOT23-3 Hersteller: Vishay Dale Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236 (SOT-23)	Auf Lager2.682
SST201-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V .7MA SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4.5pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager12.832
SST204-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V .7MA SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4.5pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager8.766
SST204-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.35W SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4.5pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager6.210
SST4118-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 70V 80UA SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager5.688
SST4119-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 70V 200UA SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236	Auf Lager3.420
SST4416-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 36V 5MA SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.2pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager7.292
SST4416-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 36V 5MA SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.2pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager4.896
SST5461-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET P-CH 55V 2MA SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager6.318
SST5462-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET P-CH 55V 4MA SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1.8V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager8.926
SST5484-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET P-CH 35V 1MA SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager4.050
SST5484-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET P-CH 35V 1MA SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 300mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager7.470
SST5485-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET P-CH 35V 4MA SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager29.384
SST5485-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET P-CH 35V 4MA SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager6.516
SST5486-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET P-CH 35V 8MA SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager5.508
SST5486-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET P-CH 35V 8MA SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager4.950
TF202THC-3-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 1MA 100MW VTFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 200mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 3-VTFP	Auf Lager2.592
TF202THC-3-TL-HX ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 1MA 100MW VTFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.844
TF202THC-4-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 0.1W VTFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 200mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 3-VTFP	Auf Lager147.124
TF202THC-5-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 1MA 100MW VTFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 200mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 3-VTFP	Auf Lager81.614
TF202THC-L5-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 1MA 100MW Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 200mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: VTFP	Auf Lager4.158
TF208TH-4-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 1MA 100MW VTFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 100mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 2V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: VTFP	Auf Lager25.179
TF208TH-5-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 1MA 100MW VTFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 100mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 2V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: VTFP	Auf Lager4.518
TF252-4-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 1MA 30MW USFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 100mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 30mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 3-USFP	Auf Lager163.041
TF252-5-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 1MA 30MW USFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 100mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 30mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 3-USFP	Auf Lager2.412
TF252TH-4A-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 1MA 100MW Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 100mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: VTFP	Auf Lager157.398
TF252TH-4-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 1MA 100MW VTFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 100mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 3-VTFP	Auf Lager20.095
TF252TH-5-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 0.1W 3VTFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 3-VTFP	Auf Lager206
TF256-3-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 1MA 30MW USFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 100mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 30mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 3-USFP	Auf Lager6.300

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