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TF252TH-4A-TL-H

TF252TH-4A-TL-H

Nur als Referenz

Teilenummer TF252TH-4A-TL-H
PNEDA Teilenummer TF252TH-4A-TL-H
Beschreibung JFET N-CH 1MA 100MW
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $0,6627
500 ---------- $0,6316
1.000 ---------- $0,6005
2.500 ---------- $0,5695
5.000 ---------- $0,5436
10.000 ---------- $0,5177
Auf Lager 157.398
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TF252TH-4A-TL-H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTF252TH-4A-TL-H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs

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TF252TH-4A-TL-H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)140µA @ 2V
Stromaufnahme (Id) - max1mA
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id100mV @ 1µA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3.1pF @ 2V
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max100mW
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall3-SMD, Flat Leads
LieferantengerätepaketVTFP

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

30mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

5V @ 10µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-85

Lieferantengerätepaket

SMini3-F2-B

2SK2145-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

200mV @ 100nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74A, SOT-753

Lieferantengerätepaket

SMV

U440-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

6mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-71-6

Lieferantengerätepaket

-

2SK771-5-TB-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

20mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

200mW

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

3-CP

2N4091UB

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/431

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

16pF @ 20V

Widerstand - RDS (Ein)

30 Ohms

Leistung - max

360mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

3-UB (3.09x2.45)

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