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Seite 2158/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
U431 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET DUAL P-CH 25V TO-78 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager3.324
U440 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET DUAL P-CH 25V TO-71 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-71-6 Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.380
U440-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET DUAL P-CH 25V TO-71 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-71-6 Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.120
U441 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET 2N-CH 25V TO-71 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-71-6 Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.996
U441-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET 2N-CH 25V TO-71 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-71-6 Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.406
2N2647 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Programmierbare Unijunction THROUGH-HOLE UJT Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Spannung: - Verlustleistung (max.): 300mW Spannung - Ausgang: 6V Spannung - Offset (Vt): - Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao): - Current - Valley (Iv): 18mA Strom - Spitze: 2µA Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	Auf Lager6.552
2N4851 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Programmierbare Unijunction THROUGH-HOLE UJT Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Spannung: - Verlustleistung (max.): 300mW Spannung - Ausgang: 3V Spannung - Offset (Vt): - Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao): - Current - Valley (Iv): 2mA Strom - Spitze: 2µA Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	Auf Lager3.960
2N4852 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Programmierbare Unijunction THROUGH-HOLE UJT Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Spannung: - Verlustleistung (max.): 300mW Spannung - Ausgang: 5V Spannung - Offset (Vt): - Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao): - Current - Valley (Iv): 4mA Strom - Spitze: 2µA Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	Auf Lager4.716
2N4853 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Programmierbare Unijunction THROUGH-HOLE UJT Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Spannung: - Verlustleistung (max.): 300mW Spannung - Ausgang: 6V Spannung - Offset (Vt): - Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao): - Current - Valley (Iv): 6mA Strom - Spitze: 400nA Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	Auf Lager6.228
2N4948 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Programmierbare Unijunction THROUGH-HOLE UJT Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Spannung: - Verlustleistung (max.): - Spannung - Ausgang: 6V Spannung - Offset (Vt): - Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao): - Current - Valley (Iv): 2mA Strom - Spitze: 2µA Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	Auf Lager6.948
2N4949 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Programmierbare Unijunction THROUGH-HOLE UJT Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Spannung: - Verlustleistung (max.): - Spannung - Ausgang: 3V Spannung - Offset (Vt): - Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao): - Current - Valley (Iv): 2mA Strom - Spitze: 1µA Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	Auf Lager7.326
2N5431 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Programmierbare Unijunction THROUGH-HOLE UJT Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Spannung: - Verlustleistung (max.): - Spannung - Ausgang: 1V Spannung - Offset (Vt): - Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao): - Current - Valley (Iv): 2mA Strom - Spitze: 400nA Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	Auf Lager3.562
2N6027 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Programmierbare Unijunction PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Spannung: 40V Verlustleistung (max.): 300mW Spannung - Ausgang: 6V Spannung - Offset (Vt): 1.6V Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao): 10nA Current - Valley (Iv): 50µA Strom - Spitze: 2µA Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager2.934
2N6027G ON Semiconductor	Transistoren - Programmierbare Unijunction TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Spannung: 40V Verlustleistung (max.): 300mW Spannung - Ausgang: 11V Spannung - Offset (Vt): 1.6V Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao): 10nA Current - Valley (Iv): 50µA Strom - Spitze: 2µA Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager7.236
2N6027RL1 ON Semiconductor	Transistoren - Programmierbare Unijunction THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Spannung: 40V Verlustleistung (max.): 300mW Spannung - Ausgang: 11V Spannung - Offset (Vt): 1.6V Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao): 10nA Current - Valley (Iv): 50µA Strom - Spitze: 2µA Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Auf Lager5.022
2N6027RL1G ON Semiconductor	Transistoren - Programmierbare Unijunction THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Spannung: 40V Verlustleistung (max.): 300mW Spannung - Ausgang: 11V Spannung - Offset (Vt): 1.6V Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao): 10nA Current - Valley (Iv): 50µA Strom - Spitze: 2µA Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Auf Lager6.066
2N6027RLRA ON Semiconductor	Transistoren - Programmierbare Unijunction THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Spannung: 40V Verlustleistung (max.): 300mW Spannung - Ausgang: 11V Spannung - Offset (Vt): 1.6V Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao): 10nA Current - Valley (Iv): 50µA Strom - Spitze: 2µA Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Auf Lager8.208
2N6027RLRAG ON Semiconductor	Transistoren - Programmierbare Unijunction THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Spannung: 40V Verlustleistung (max.): 300mW Spannung - Ausgang: 11V Spannung - Offset (Vt): 1.6V Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao): 10nA Current - Valley (Iv): 50µA Strom - Spitze: 2µA Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Auf Lager8.262
2N6028 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Programmierbare Unijunction PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Spannung: 40V Verlustleistung (max.): 300mW Spannung - Ausgang: 6V Spannung - Offset (Vt): 600mV Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao): 10nA Current - Valley (Iv): 25µA Strom - Spitze: 150nA Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager17.040
2N6028G ON Semiconductor	Transistoren - Programmierbare Unijunction THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Spannung: 40V Verlustleistung (max.): 300mW Spannung - Ausgang: 11V Spannung - Offset (Vt): 600mV Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao): 10nA Current - Valley (Iv): 25µA Strom - Spitze: 150nA Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager4.662
2N6028RLRA ON Semiconductor	Transistoren - Programmierbare Unijunction THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Spannung: 40V Verlustleistung (max.): 300mW Spannung - Ausgang: 11V Spannung - Offset (Vt): 600mV Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao): 10nA Current - Valley (Iv): 25µA Strom - Spitze: 150nA Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Auf Lager2.952
2N6028RLRAG ON Semiconductor	Transistoren - Programmierbare Unijunction THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Spannung: 40V Verlustleistung (max.): 300mW Spannung - Ausgang: 11V Spannung - Offset (Vt): 600mV Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao): 10nA Current - Valley (Iv): 25µA Strom - Spitze: 150nA Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Auf Lager7.416
2N6028RLRMG ON Semiconductor	Transistoren - Programmierbare Unijunction THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Spannung: 40V Verlustleistung (max.): 300mW Spannung - Ausgang: 11V Spannung - Offset (Vt): 600mV Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao): 10nA Current - Valley (Iv): 25µA Strom - Spitze: 150nA Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Auf Lager3.834
2N6028RLRP ON Semiconductor	Transistoren - Programmierbare Unijunction THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Spannung: 40V Verlustleistung (max.): 300mW Spannung - Ausgang: 11V Spannung - Offset (Vt): 600mV Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao): 10nA Current - Valley (Iv): 25µA Strom - Spitze: 150nA Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Auf Lager6.228
2N6028RLRPG ON Semiconductor	Transistoren - Programmierbare Unijunction THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Spannung: 40V Verlustleistung (max.): 300mW Spannung - Ausgang: 11V Spannung - Offset (Vt): 600mV Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao): 10nA Current - Valley (Iv): 25µA Strom - Spitze: 150nA Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Auf Lager3.060
CMPP6027R BK Central Semiconductor Corp	Transistoren - Programmierbare Unijunction PROGRAMMABLE UJT SOT-23 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Spannung: 40V Verlustleistung (max.): 167mW Spannung - Ausgang: 6V Spannung - Offset (Vt): 1.6V Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao): 10nA Current - Valley (Iv): 50µA Strom - Spitze: 2µA Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager6.732
CMPP6027R TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - Programmierbare Unijunction PROGRAMMABLE UJT SOT-23 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Spannung: 40V Verlustleistung (max.): 167mW Spannung - Ausgang: 6V Spannung - Offset (Vt): 1.6V Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao): 10nA Current - Valley (Iv): 50µA Strom - Spitze: 2µA Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager6.948
CMPP6027 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - Programmierbare Unijunction PROGRAMMABLE UJT SOT-23 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: * Spannung: - Verlustleistung (max.): - Spannung - Ausgang: - Spannung - Offset (Vt): - Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao): - Current - Valley (Iv): - Strom - Spitze: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.294
CMPP6028R BK Central Semiconductor Corp	Transistoren - Programmierbare Unijunction PROGRAMMABLE UJT SOT-23 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Spannung: 40V Verlustleistung (max.): 167mW Spannung - Ausgang: 6V Spannung - Offset (Vt): 600mV Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao): 10nA Current - Valley (Iv): 25µA Strom - Spitze: 150nA Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager5.724
CMPP6028R TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - Programmierbare Unijunction PROGRAMMABLE UJT SOT-23 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Spannung: 40V Verlustleistung (max.): 167mW Spannung - Ausgang: 6V Spannung - Offset (Vt): 600mV Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao): 10nA Current - Valley (Iv): 25µA Strom - Spitze: 150nA Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager4.536

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