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2N6027RLRAG

2N6027RLRAG

Nur als Referenz

Teilenummer 2N6027RLRAG
PNEDA Teilenummer 2N6027RLRAG
Beschreibung THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.262
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2N6027RLRAG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N6027RLRAG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Programmierbare Unijunction
Datenblatt
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2N6027RLRAG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Spannung40V
Verlustleistung (max.)300mW
Spannung - Ausgang11V
Spannung - Offset (Vt)1.6V
Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao)10nA
Current - Valley (Iv)50µA
Strom - Spitze2µA
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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-

Spannung

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Verlustleistung (max.)

300mW

Spannung - Ausgang

3V

Spannung - Offset (Vt)

-

Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao)

-

Current - Valley (Iv)

2mA

Strom - Spitze

2µA

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

2N6028RLRAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Spannung

40V

Verlustleistung (max.)

300mW

Spannung - Ausgang

11V

Spannung - Offset (Vt)

600mV

Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao)

10nA

Current - Valley (Iv)

25µA

Strom - Spitze

150nA

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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Hersteller

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Serie

-

Spannung

40V

Verlustleistung (max.)

167mW

Spannung - Ausgang

6V

Spannung - Offset (Vt)

1.6V

Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao)

10nA

Current - Valley (Iv)

50µA

Strom - Spitze

2µA

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

CMPP6027R TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

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Serie

-

Spannung

40V

Verlustleistung (max.)

167mW

Spannung - Ausgang

6V

Spannung - Offset (Vt)

1.6V

Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao)

10nA

Current - Valley (Iv)

50µA

Strom - Spitze

2µA

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

2N6028RLRA

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Hersteller

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Serie

-

Spannung

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Verlustleistung (max.)

300mW

Spannung - Ausgang

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