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2N6027RL1

2N6027RL1

Nur als Referenz

Teilenummer 2N6027RL1
PNEDA Teilenummer 2N6027RL1
Beschreibung THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.022
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 14 - Jan 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2N6027RL1 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N6027RL1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Programmierbare Unijunction
Datenblatt
2N6027RL1, 2N6027RL1 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 148,85 KB)
PDF2N6027RL1G Datenblatt Cover
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2N6027RL1 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Spannung40V
Verlustleistung (max.)300mW
Spannung - Ausgang11V
Spannung - Offset (Vt)1.6V
Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao)10nA
Current - Valley (Iv)50µA
Strom - Spitze2µA
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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-

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2mA

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Hersteller

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-

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Verlustleistung (max.)

300mW

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10nA

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150nA

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

*

Spannung

-

Verlustleistung (max.)

-

Spannung - Ausgang

-

Spannung - Offset (Vt)

-

Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao)

-

Current - Valley (Iv)

-

Strom - Spitze

-

Paket / Fall

-

2N4853

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Spannung

-

Verlustleistung (max.)

300mW

Spannung - Ausgang

6V

Spannung - Offset (Vt)

-

Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao)

-

Current - Valley (Iv)

6mA

Strom - Spitze

400nA

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

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Verlustleistung (max.)

300mW

Spannung - Ausgang

11V

Spannung - Offset (Vt)

600mV

Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao)

10nA

Current - Valley (Iv)

25µA

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