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2N6027G

2N6027G

Nur als Referenz

Teilenummer 2N6027G
PNEDA Teilenummer 2N6027G
Beschreibung TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92
Hersteller ON Semiconductor
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2N6027G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N6027G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Programmierbare Unijunction
Datenblatt
2N6027G, 2N6027G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 77,42 KB)
PDF2N6028RLRPG Datenblatt Cover
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2N6027G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Spannung40V
Verlustleistung (max.)300mW
Spannung - Ausgang11V
Spannung - Offset (Vt)1.6V
Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao)10nA
Current - Valley (Iv)50µA
Strom - Spitze2µA
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Spannung

40V

Verlustleistung (max.)

300mW

Spannung - Ausgang

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600mV

Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao)

10nA

Current - Valley (Iv)

25µA

Strom - Spitze

150nA

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

CMPP6028 TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Spannung

40V

Verlustleistung (max.)

167mW

Spannung - Ausgang

6V

Spannung - Offset (Vt)

600mV

Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao)

10nA

Current - Valley (Iv)

25µA

Strom - Spitze

150nA

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

2N5431

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Spannung

-

Verlustleistung (max.)

-

Spannung - Ausgang

1V

Spannung - Offset (Vt)

-

Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao)

-

Current - Valley (Iv)

2mA

Strom - Spitze

400nA

Paket / Fall

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CMPP6028R TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

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40V

Verlustleistung (max.)

167mW

Spannung - Ausgang

6V

Spannung - Offset (Vt)

600mV

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10nA

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Central Semiconductor Corp

Serie

-

Spannung

-

Verlustleistung (max.)

300mW

Spannung - Ausgang

5V

Spannung - Offset (Vt)

-

Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao)

-

Current - Valley (Iv)

4mA

Strom - Spitze

2µA

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

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