Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 2157/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
TF256-4-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 1MA 30MW USFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 100mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 30mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: 3-USFP	Auf Lager6.714
TF256-5-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 1MA 30MW USFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 240µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 100mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 30mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1123 Lieferantengerätepaket: 3-USFP	Auf Lager4.626
TF256TH-3-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 1MA 100MW VTFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 100mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: VTFP	Auf Lager5.976
TF256TH-4-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 1MA 100MW VTFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 100mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 3-VTFP	Auf Lager2.826
TF256TH-5-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 1MA 100MW VTFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 240µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 100mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 3-VTFP	Auf Lager7.380
TF262TH-4-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 1MA 100MW Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 200mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 2V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: VTFP	Auf Lager18.857
TF262TH-5-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 1MA 100MW Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 2V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 200mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 2V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: VTFP	Auf Lager7.272
TF408-2-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 10MA 30MW USFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 10mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 180mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 30mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 3-USFP	Auf Lager8.460
TF408-3-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 10MA 30MW USFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 10mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 180mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 30mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 3-USFP	Auf Lager6.120
TF408-3-TL-HX ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 10MA 30MW USFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.014
TF410-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 1MA 30MW USFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 0.7pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 30mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 3-USFP	Auf Lager6.102
TF410-TL-HX ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 1MA 30MW USFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.730
TF412ST5G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 10mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 180mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-XFDFN Lieferantengerätepaket: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)	Auf Lager126.060
TF414T5G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs IC JFET N-CH 40V XDFN3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 0.7pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 100mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)	Auf Lager378.096
TIS74 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 4nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 40 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.400
TIS74_J35Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 4nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 40 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.320
TIS75 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 800mV @ 4nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.776
TIS75_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 800mV @ 4nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.806
TIS75_D75Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 800mV @ 4nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.582
TIS75_J35Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 800mV @ 4nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.776
U1897 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.590
U1898 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.492
U1898_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 50 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.956
U290 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 3nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 0V Widerstand - RDS (Ein): 3 Ohms Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AC (TO-52)	Auf Lager7.380
U290-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 3nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 0V Widerstand - RDS (Ein): 3 Ohms Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AC (TO-52)	Auf Lager7.956
U291 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 3nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 0V Widerstand - RDS (Ein): 7 Ohms Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AC (TO-52)	Auf Lager28
U291-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 3nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 0V Widerstand - RDS (Ein): 7 Ohms Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AC (TO-52)	Auf Lager6.174
U310-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET P-CH 25V TO-52 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2.5V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-206AC (TO-52)	Auf Lager3.128
U430 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET P-CH 25V TO-78 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager8.856
U430-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET DUAL P-CH 25V TO-78 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager2.304

«
‹
1
...
2154
2155
2156
2157 (current)
2158
2159
2160
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message