TF412ST5G
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| Teilenummer | TF412ST5G |
| PNEDA Teilenummer | TF412ST5G |
| Beschreibung | JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 126.060 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TF412ST5G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TF412ST5G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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TF412ST5G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 30V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1.2mA @ 10V |
| Stromaufnahme (Id) - max | 10mA |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 180mV @ 1µA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | 100mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-XFDFN |
| Lieferantengerätepaket | SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie * FET-Typ - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
