TF262TH-4-TL-H
Nur als Referenz
| Teilenummer | TF262TH-4-TL-H | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | TF262TH-4-TL-H | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | JFET N-CH 1MA 100MW | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 18.857 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 2 - Feb 7 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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TF262TH-4-TL-H Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | TF262TH-4-TL-H |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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TF262TH-4-TL-H Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 140µA @ 2V |
| Stromaufnahme (Id) - max | 1mA |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 200mV @ 1µA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3.5pF @ 2V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | 100mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | VTFP |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/385 FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 100mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 6V @ 500pA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 18pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) 40 Ohms Leistung - max 360mW Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-18 (TO-206AA) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 25V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 100mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 500mV @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) 8 Ohms Leistung - max 625mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/385 FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 175mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 4V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 18pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) 25 Ohms Leistung - max 360mW Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-18 (TO-206AA) |
