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Seite 2155/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
PN4302 Central Semiconductor Corp	Transistoren - JFETs IC JFET TO-92 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager5.094
PN4302 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.370
PN4303 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 6V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.988
PN4303_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 6V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.318
PN4391 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.978
PN4391_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.226
PN4391_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.338
PN4391_D75Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.532
PN4391 TRE Central Semiconductor Corp	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager34.686
PN4392 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.804
PN4392_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.672
PN4392_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.690
PN4392_D75Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.964
PN4393 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs TRANSISTOR SWITCH N-CH SS TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): - Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Widerstand - RDS (Ein): - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.366
PN4393_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.732
PN4393_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.564
PN4393_D74Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.282
PN4393_D75Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.390
PN4393 TRA Central Semiconductor Corp	Transistoren - JFETs JFET N-CH 40V 0.625W TO92 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager3.636
PN4861 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 625MW TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 800mV @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein): 60 Ohms Leistung - max: 625mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.804
PN5432 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 3nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 5 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.048
PN5432_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 3nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 5 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.924
PN5434 ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 3nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 10 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.694
PN5434_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 3nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 10 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.834
PN5434_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 25V 0.35W TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 1V @ 3nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 10 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.652
SMMBF4391LT1G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 4V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 30 Ohms Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager6.978
SMMBF4393LT1G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 100 Ohms Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager2.153
SMMBFJ175LT1G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs TRANS JFET P-CH 30V SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 3V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 125 Ohms Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager7.038
SMMBFJ177LT1G ON Semiconductor	Transistoren - JFETs TRANS JFET P-CH SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 800mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein): 300 Ohms Leistung - max: 225mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23 (TO-236AB)	Auf Lager28.458
SST174-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - JFETs JFET N-CH 30V 20MA SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max: - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id: 5V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 0V Widerstand - RDS (Ein): 85 Ohms Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236	Auf Lager55.275

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