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PN4861

PN4861

Nur als Referenz

Teilenummer PN4861
PNEDA Teilenummer PN4861
Beschreibung JFET N-CH 30V 625MW TO92
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.804
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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PN4861 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPN4861
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
PN4861, PN4861 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 94,33 KB)
PDFPN4861 Datenblatt Cover
PN4861 Datenblatt Seite 2 PN4861 Datenblatt Seite 3

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PN4861 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)30V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)8mA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id800mV @ 0.5nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds18pF @ 10V
Widerstand - RDS (Ein)60 Ohms
Leistung - max625mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

24mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

2V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

J174

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

5V @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

85 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

P1087

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

5V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

150 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

MMBF4392LT1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

25mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

2V @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

60 Ohms

Leistung - max

225mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

2N5458

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

310mW

Betriebstemperatur

135°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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