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J175_D75Z

J175_D75Z

Nur als Referenz

Teilenummer J175_D75Z
PNEDA Teilenummer J175_D75Z
Beschreibung JFET P-CH 30V 0.35W TO92
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.194
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

J175_D75Z Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJ175_D75Z
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
J175_D75Z, J175_D75Z Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 728,24 KB)
PDFJ175_D27Z Datenblatt Cover
J175_D27Z Datenblatt Seite 2 J175_D27Z Datenblatt Seite 3 J175_D27Z Datenblatt Seite 4 J175_D27Z Datenblatt Seite 5 J175_D27Z Datenblatt Seite 6 J175_D27Z Datenblatt Seite 7 J175_D27Z Datenblatt Seite 8 J175_D27Z Datenblatt Seite 9 J175_D27Z Datenblatt Seite 10 J175_D27Z Datenblatt Seite 11

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J175_D75Z Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypP-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)30V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)7mA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id3V @ 10nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Widerstand - RDS (Ein)125 Ohms
Leistung - max350mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/385

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

175mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

4V @ 0.5nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

25 Ohms

Leistung - max

360mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-18 (TO-206AA)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

500mV @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

310mW

Betriebstemperatur

135°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92 (TO-226)

2N4118A-2

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

80µA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-206AF (TO-72)

MMBFJ175LT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

7mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

3V @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11pF @ 10V (VGS)

Widerstand - RDS (Ein)

125 Ohms

Leistung - max

225mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23 (TO-236AB)

2SK1070PIETR-E

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

22V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

12mA @ 5V

Stromaufnahme (Id) - max

50mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

0V @ 10µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9pF @ 5V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

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