2SK1070PIETR-E
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2SK1070PIETR-E |
| PNEDA Teilenummer | 2SK1070PIETR-E |
| Beschreibung | JFET N-CH MPAK |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.676 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
2SK1070PIETR-E Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | 2SK1070PIETR-E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- 2SK1070PIETR-E Datasheet
- where to find 2SK1070PIETR-E
- Renesas Electronics America
- Renesas Electronics America 2SK1070PIETR-E
- 2SK1070PIETR-E PDF Datasheet
- 2SK1070PIETR-E Stock
- 2SK1070PIETR-E Pinout
- Datasheet 2SK1070PIETR-E
- 2SK1070PIETR-E Supplier
- Renesas Electronics America Distributor
- 2SK1070PIETR-E Price
- 2SK1070PIETR-E Distributor
2SK1070PIETR-E Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 22V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 12mA @ 5V |
| Stromaufnahme (Id) - max | 50mA |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 0V @ 10µA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9pF @ 5V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | 150mW |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | 3-MPAK |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller NXP USA Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 4mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max 10mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 5V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 250mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 (TO-236AB) |
Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 900µA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 800mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 625mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 20V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 300µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 8V @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 32pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 8mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 1V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein) 80 Ohms Leistung - max 625mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
