2SK1070PIETR-E Datenblatt
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 22V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 12mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 0V @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 150mW Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket 3-MPAK |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 22V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 12mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 0V @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 150mW Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket 3-MPAK |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 22V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 12mA @ 5V Stromaufnahme (Id) - max 50mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 0V @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9pF @ 5V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 150mW Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket 3-MPAK |
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