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2SK1070PIETL-E

2SK1070PIETL-E

Nur als Referenz

Teilenummer 2SK1070PIETL-E
PNEDA Teilenummer 2SK1070PIETL-E
Beschreibung JFET N-CH MPAK
Hersteller Renesas Electronics America
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Auf Lager 5.670
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2SK1070PIETL-E Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SK1070PIETL-E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
2SK1070PIETL-E, 2SK1070PIETL-E Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 141,91 KB)
PDF2SK1070PIETR-E Datenblatt Cover
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2SK1070PIETL-E Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)22V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)12mA @ 5V
Stromaufnahme (Id) - max50mA
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id0V @ 10µA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds9pF @ 5V
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max150mW
Betriebstemperatur150°C
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket3-MPAK

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Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

6V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

625mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

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FET-Typ

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Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

750mV @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

225mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

107µA @ 2V

Stromaufnahme (Id) - max

2mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

100mW

Betriebstemperatur

-20°C ~ 80°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 3nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 10V (VGS)

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SuperSOT-3

J201

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200µA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

300mV @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

625mW

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Through Hole

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TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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