2SK1070PICTL-E
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2SK1070PICTL-E | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | 2SK1070PICTL-E | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | JFET N-CH MPAK | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Renesas Electronics America | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 2.033 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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2SK1070PICTL-E Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SK1070PICTL-E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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2SK1070PICTL-E Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 22V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 12mA @ 5V |
| Stromaufnahme (Id) - max | 50mA |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 0V @ 10µA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9pF @ 5V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | 150mW |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | 3-MPAK |
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