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SST174-E3

SST174-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SST174-E3
PNEDA Teilenummer SST174-E3
Beschreibung JFET N-CH 30V 20MA SOT-23
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis
1 ---------- $3,8314
250 ---------- $3,6518
500 ---------- $3,4722
1.000 ---------- $3,2926
2.500 ---------- $3,1430
5.000 ---------- $2,9933
Auf Lager 55.275
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SST174-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSST174-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
SST174-E3, SST174-E3 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 56,58 KB)
PDFSST174-T1-E3 Datenblatt Cover
SST174-T1-E3 Datenblatt Seite 2 SST174-T1-E3 Datenblatt Seite 3 SST174-T1-E3 Datenblatt Seite 4 SST174-T1-E3 Datenblatt Seite 5 SST174-T1-E3 Datenblatt Seite 6 SST174-T1-E3 Datenblatt Seite 7

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SST174-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypP-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)30V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)20mA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id5V @ 10nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds20pF @ 0V
Widerstand - RDS (Ein)85 Ohms
Leistung - max350mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketTO-236

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

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Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

15mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

2V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

16pF @ 20V

Widerstand - RDS (Ein)

50 Ohms

Leistung - max

625mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

150mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

100pA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

10V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 20V

Widerstand - RDS (Ein)

30 Ohms

Leistung - max

1.8W

Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-18

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

600mV @ 100nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

J175

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

7mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

3V @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5.5pF @ 10V (VGS)

Widerstand - RDS (Ein)

125 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

80mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

3V @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

8 Ohms

Leistung - max

625mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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