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U1897

U1897

Nur als Referenz

Teilenummer U1897
PNEDA Teilenummer U1897
Beschreibung JFET N-CH 40V 0.625W TO92
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.590
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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U1897 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerU1897
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
U1897, U1897 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 91,69 KB)
PDFU1897 Datenblatt Cover
U1897 Datenblatt Seite 2 U1897 Datenblatt Seite 3

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U1897 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)40V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)30mA @ 20V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id5V @ 1nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds16pF @ 20V
Widerstand - RDS (Ein)30 Ohms
Leistung - max625mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

6V @ 500pA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

40 Ohms

Leistung - max

360mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-18

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

8mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

800mV @ 4nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V (VGS)

Widerstand - RDS (Ein)

60 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

J108

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

80mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

3V @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

8 Ohms

Leistung - max

625mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

J270

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

500mV @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2N5116JTXV02

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-206AA (TO-18)

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