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TF252TH-5-TL-H

TF252TH-5-TL-H

Nur als Referenz

Teilenummer TF252TH-5-TL-H
PNEDA Teilenummer TF252TH-5-TL-H
Beschreibung JFET N-CH 0.1W 3VTFP
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $1,5830
250 ---------- $1,5088
500 ---------- $1,4346
1.000 ---------- $1,3604
2.500 ---------- $1,2985
5.000 ---------- $1,2367
Auf Lager 206
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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TF252TH-5-TL-H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTF252TH-5-TL-H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
TF252TH-5-TL-H, TF252TH-5-TL-H Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 327,33 KB)
PDFTF252TH-4-TL-H Datenblatt Cover
TF252TH-4-TL-H Datenblatt Seite 2 TF252TH-4-TL-H Datenblatt Seite 3 TF252TH-4-TL-H Datenblatt Seite 4 TF252TH-4-TL-H Datenblatt Seite 5 TF252TH-4-TL-H Datenblatt Seite 6 TF252TH-4-TL-H Datenblatt Seite 7

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TF252TH-5-TL-H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)210µA @ 2V
Stromaufnahme (Id) - max1mA
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id1V @ 1µA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3.1pF @ 2V
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max100mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall3-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket3-VTFP

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

6mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

200mV @ 100nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

200mW

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

Lieferantengerätepaket

USV

8885_2N5115

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

SST5462-T1-E3

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1.8V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

2N4091UB

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/431

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

16pF @ 20V

Widerstand - RDS (Ein)

30 Ohms

Leistung - max

360mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

3-UB (3.09x2.45)

J112RL1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

35V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

50 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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