J177,126
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| Teilenummer | J177,126 |
| PNEDA Teilenummer | J177-126 |
| Beschreibung | JFET P-CH 30V 400MW TO92-3 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.212 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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J177 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | J177,126 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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J177 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 30V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1.5mA @ 15V |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 800mV @ 10nA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8pF @ 10V (VGS) |
| Widerstand - RDS (Ein) | 300 Ohms |
| Leistung - max | 400mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 60µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max 1mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 1.5V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1.7pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 125mW Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket 3-CP |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 50V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 300µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max 6.5mA Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 400mV @ 100nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8.2pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 100mW Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket S-Mini |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 2.5V @ 0.5nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 225mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 25V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 500mV @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) 18 Ohms Leistung - max 625mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 25V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 500mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 4.5V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) 3 Ohms Leistung - max 625mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
