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SST5484-E3

SST5484-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SST5484-E3
PNEDA Teilenummer SST5484-E3
Beschreibung JFET P-CH 35V 1MA SOT-23
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 4.050
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 22 - Jan 27 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SST5484-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSST5484-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
SST5484-E3, SST5484-E3 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 85,71 KB)
PDFSST5486-T1-E3 Datenblatt Cover
SST5486-T1-E3 Datenblatt Seite 2 SST5486-T1-E3 Datenblatt Seite 3 SST5486-T1-E3 Datenblatt Seite 4 SST5486-T1-E3 Datenblatt Seite 5 SST5486-T1-E3 Datenblatt Seite 6 SST5486-T1-E3 Datenblatt Seite 7 SST5486-T1-E3 Datenblatt Seite 8

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SST5484-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)25V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)1mA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id300mV @ 10nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5pF @ 15V
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max350mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23

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Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

5V @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

85 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

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Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

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-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

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-

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TO-92-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

7mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

3V @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11pF @ 10V (VGS)

Widerstand - RDS (Ein)

125 Ohms

Leistung - max

225mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

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-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30µA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

600mV @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

225mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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