MMBFJ176
Nur als Referenz
| Teilenummer | MMBFJ176 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | MMBFJ176 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 50.257 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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MMBFJ176 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MMBFJ176 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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MMBFJ176 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 30V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 2mA @ 15V |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 1V @ 10nA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Widerstand - RDS (Ein) | 250 Ohms |
| Leistung - max | 225mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 500mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein) 100 Ohms Leistung - max 1.8W Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-18 |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 50mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 4V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein) 30 Ohms Leistung - max 625mW Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 25V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 40mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 2V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) 12 Ohms Leistung - max 625mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
