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MMBFJ175LT1

MMBFJ175LT1

Nur als Referenz

Teilenummer MMBFJ175LT1
PNEDA Teilenummer MMBFJ175LT1
Beschreibung JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.970
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MMBFJ175LT1 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMBFJ175LT1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
MMBFJ175LT1, MMBFJ175LT1 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 169,49 KB)
PDFMMBFJ175LT1 Datenblatt Cover
MMBFJ175LT1 Datenblatt Seite 2 MMBFJ175LT1 Datenblatt Seite 3

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MMBFJ175LT1 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypP-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)30V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)7mA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id3V @ 10nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds11pF @ 10V (VGS)
Widerstand - RDS (Ein)125 Ohms
Leistung - max225mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3 (TO-236)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

10mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

180mV @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

200 Ohms

Leistung - max

100mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-XFDFN

Lieferantengerätepaket

3-ECSP1006

P1086_D75Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

10V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

75 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

PN4393_D75Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

500mV @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 20V

Widerstand - RDS (Ein)

100 Ohms

Leistung - max

625mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

24mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

2V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

50 Ohms

Leistung - max

190mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

BF246B

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

*

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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