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PMBFJ177,215

PMBFJ177,215

Nur als Referenz

Teilenummer PMBFJ177,215
PNEDA Teilenummer PMBFJ177-215
Beschreibung JFET P-CH 30V 0.3W SOT23
Hersteller NXP
Stückpreis
1 ---------- $2,4138
250 ---------- $2,3007
500 ---------- $2,1875
1.000 ---------- $2,0744
2.500 ---------- $1,9801
5.000 ---------- $1,8858
Auf Lager 119.293
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PMBFJ177 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMBFJ177,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
PMBFJ177, PMBFJ177 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 165,27 KB)
PDFPMBFJ175 Datenblatt Cover
PMBFJ175 Datenblatt Seite 2 PMBFJ175 Datenblatt Seite 3 PMBFJ175 Datenblatt Seite 4 PMBFJ175 Datenblatt Seite 5 PMBFJ175 Datenblatt Seite 6 PMBFJ175 Datenblatt Seite 7 PMBFJ175 Datenblatt Seite 8 PMBFJ175 Datenblatt Seite 9 PMBFJ175 Datenblatt Seite 10

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PMBFJ177 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
FET-TypP-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)30V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)1.5mA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id800mV @ 10nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds8pF @ 10V (VGS)
Widerstand - RDS (Ein)300 Ohms
Leistung - max300mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23 (TO-236AB)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

7mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

3V @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

125 Ohms

Leistung - max

225mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

500mV @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 20V

Widerstand - RDS (Ein)

100 Ohms

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23 (TO-236AB)

2N5461_D26Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

IJW120R100T1FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.5µA @ 1200V

Stromaufnahme (Id) - max

26A

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1550pF @ 19.5V (VGS)

Widerstand - RDS (Ein)

100 mOhms

Leistung - max

190W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

2SK880-BL(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

50V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

6mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1.5V @ 100nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

100mW

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70

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