PMBFJ110,215
Nur als Referenz
| Teilenummer | PMBFJ110,215 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | PMBFJ110-215 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | JFET N-CH 25V 250MW SOT23 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | NXP | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 49.990 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 27 - Jul 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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PMBFJ110 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMBFJ110,215 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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PMBFJ110 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 25V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 10mA @ 15V |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 4V @ 1µA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 10V (VGS) |
| Widerstand - RDS (Ein) | 18 Ohms |
| Leistung - max | 250mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 (TO-236AB) |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - FET-Typ P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 7mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 3V @ 10nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8pF @ 10V (VGS) Widerstand - RDS (Ein) 125 Ohms Leistung - max 400mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92 |
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