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PMBFJ110,215

PMBFJ110,215

Nur als Referenz

Teilenummer PMBFJ110,215
PNEDA Teilenummer PMBFJ110-215
Beschreibung JFET N-CH 25V 250MW SOT23
Hersteller NXP
Stückpreis
1 ---------- $33,6846
100 ---------- $32,1056
250 ---------- $30,5267
500 ---------- $28,9477
750 ---------- $27,6319
1.000 ---------- $26,3161
Auf Lager 49.990
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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PMBFJ110 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMBFJ110,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
PMBFJ110, PMBFJ110 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 81,21 KB)
PDFPMBFJ108 Datenblatt Cover
PMBFJ108 Datenblatt Seite 2 PMBFJ108 Datenblatt Seite 3 PMBFJ108 Datenblatt Seite 4 PMBFJ108 Datenblatt Seite 5 PMBFJ108 Datenblatt Seite 6 PMBFJ108 Datenblatt Seite 7 PMBFJ108 Datenblatt Seite 8 PMBFJ108 Datenblatt Seite 9

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PMBFJ110 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)25V
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)10mA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id4V @ 1µA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds30pF @ 10V (VGS)
Widerstand - RDS (Ein)18 Ohms
Leistung - max250mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23 (TO-236AB)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

35V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

50 Ohms

Leistung - max

625mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2N5433-E3

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

3V @ 3nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 0V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AC, TO-52-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-206AC (TO-52)

2N3820

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

20V

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

300mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

8V @ 10µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

32pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

360mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92

2N5461RLRAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 135°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2SK3796-4-TL-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2.5mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

10mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

180mV @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

200 Ohms

Leistung - max

100mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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