J175,116
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| Teilenummer | J175,116 |
| PNEDA Teilenummer | J175-116 |
| Beschreibung | JFET P-CH 30V 0.4W TO92 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.132 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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J175 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | J175,116 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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J175 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 30V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 7mA @ 15V |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 3V @ 10nA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8pF @ 10V (VGS) |
| Widerstand - RDS (Ein) | 125 Ohms |
| Leistung - max | 400mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 30µA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 600mV @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * FET-Typ - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
