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PMBFJ174,215

PMBFJ174,215

Nur als Referenz

Teilenummer PMBFJ174,215
PNEDA Teilenummer PMBFJ174-215
Beschreibung JFET P-CH 30V 0.3W SOT23
Hersteller NXP
Stückpreis
1 ---------- $9,5950
100 ---------- $9,1452
250 ---------- $8,6955
500 ---------- $8,2457
750 ---------- $7,8709
1.000 ---------- $7,4961
Auf Lager 85.079
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PMBFJ174 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMBFJ174,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
PMBFJ174, PMBFJ174 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 165,27 KB)
PDFPMBFJ175 Datenblatt Cover
PMBFJ175 Datenblatt Seite 2 PMBFJ175 Datenblatt Seite 3 PMBFJ175 Datenblatt Seite 4 PMBFJ175 Datenblatt Seite 5 PMBFJ175 Datenblatt Seite 6 PMBFJ175 Datenblatt Seite 7 PMBFJ175 Datenblatt Seite 8 PMBFJ175 Datenblatt Seite 9 PMBFJ175 Datenblatt Seite 10

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PMBFJ174 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
FET-TypP-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)30V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)20mA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id5V @ 10nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds8pF @ 10V (VGS)
Widerstand - RDS (Ein)85 Ohms
Leistung - max300mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23 (TO-236AB)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

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35V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

3V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

30 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2SK208-R(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

50V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

300µA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

6.5mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

400mV @ 100nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8.2pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

100mW

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

S-Mini

2SK879-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

400mV @ 100nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8.2pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

100mW

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

USM

PN4393

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

25mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 12V (VGS)

Widerstand - RDS (Ein)

60 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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