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PMBFJ108,215

PMBFJ108,215

Nur als Referenz

Teilenummer PMBFJ108,215
PNEDA Teilenummer PMBFJ108-215
Beschreibung JFET N-CH 25V 250MW SOT23
Hersteller NXP
Stückpreis
1 ---------- $9,1566
100 ---------- $8,7274
250 ---------- $8,2982
500 ---------- $7,8690
750 ---------- $7,5113
1.000 ---------- $7,1536
Auf Lager 1
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PMBFJ108 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMBFJ108,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
PMBFJ108, PMBFJ108 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 81,21 KB)
PDFPMBFJ108 Datenblatt Cover
PMBFJ108 Datenblatt Seite 2 PMBFJ108 Datenblatt Seite 3 PMBFJ108 Datenblatt Seite 4 PMBFJ108 Datenblatt Seite 5 PMBFJ108 Datenblatt Seite 6 PMBFJ108 Datenblatt Seite 7 PMBFJ108 Datenblatt Seite 8 PMBFJ108 Datenblatt Seite 9

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PMBFJ108 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)25V
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)80mA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id10V @ 1µA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds30pF @ 10V (VGS)
Widerstand - RDS (Ein)8 Ohms
Leistung - max250mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23 (TO-236AB)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

35V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

3V @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

30 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

J177_D26Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.5mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

800mV @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

300 Ohms

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2N5460

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

750mV @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 135°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

TF256TH-4-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

140µA @ 2V

Stromaufnahme (Id) - max

1mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

100mV @ 1µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3.1pF @ 2V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

100mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

3-VTFP

2N4391

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

150mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

100pA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

10V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 20V

Widerstand - RDS (Ein)

30 Ohms

Leistung - max

1.8W

Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-18

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