Transistoren

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RGPR30BM40HRTL Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single 400V 30A IGNITION IGBT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 430V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A Leistung - max: 125W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 22nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 500ns/4µs Testbedingung: 300V, 8A, 100Ohm, 5V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: TO-252	Auf Lager4.266
RGPR30NS40HRTL Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single 400V 30A IGNITION IGBT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 430V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A Leistung - max: 125W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 22nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 500ns/4µs Testbedingung: 300V, 8A, 100Ohm, 5V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: LPDS	Auf Lager2.340
RGPZ10BM40FHTL Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 460V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A Leistung - max: 107W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 14nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 500ns/4µs Testbedingung: 300V, 8A, 100Ohm, 5V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: TO-252	Auf Lager23.874
RGS00TS65DHRC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single ROHM'S IGBT PRODUCTS WILL CONTRI Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 88A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Leistung - max: 326W Schaltenergie: 1.46mJ (on), 1.29mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 58nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 36ns/115ns Testbedingung: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 103ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247N	Auf Lager8.838
RGS00TS65HRC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT. Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 88A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Leistung - max: 326W Schaltenergie: 1.46mJ (on), 1.29mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 58nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 36ns/115ns Testbedingung: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247N	Auf Lager6.210
RGS50TSX2DHRC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single 1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Leistung - max: 395W Schaltenergie: 1.4mJ (on), 1.65mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 67nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 37ns/140ns Testbedingung: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 182ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247N	Auf Lager7.200
RGS50TSX2HRC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single 1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Leistung - max: 395W Schaltenergie: 1.4mJ (on), 1.65mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 67nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 37ns/140ns Testbedingung: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247N	Auf Lager2.826
RGS60TS65DHRC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT. Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 56A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Leistung - max: 223W Schaltenergie: 660µJ (on), 810µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 36nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 28ns/104ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 103ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247N	Auf Lager7.632
RGS60TS65HRC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT. Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 56A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Leistung - max: 223W Schaltenergie: 660µJ (on), 810µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 36nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 28ns/104ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247N	Auf Lager9.420
RGS80TS65HRC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT. Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 73A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Leistung - max: 272W Schaltenergie: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 48nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 37ns/112ns Testbedingung: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247N	Auf Lager8.952
RGS80TSX2DHRC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single 1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Leistung - max: 555W Schaltenergie: 3mJ (on), 3.1mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 104nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 49ns/199ns Testbedingung: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 198ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247N	Auf Lager6.048
RGS80TSX2HRC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single 1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Leistung - max: 555W Schaltenergie: 3mJ (on), 3.1mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 104nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 49ns/199ns Testbedingung: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247N	Auf Lager8.424
RGT00TS65DGC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 85A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Leistung - max: 277W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 94nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 42ns/137ns Testbedingung: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 54ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247N	Auf Lager8.892
RGT16BM65DTL Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A Leistung - max: 94W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 21nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 13ns/33ns Testbedingung: 400V, 8A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 42ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: TO-252	Auf Lager24.984
RGT16NL65DGTL Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single FIELD STOP TRENCH IGBT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A Leistung - max: 94W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 21nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 13ns/33ns Testbedingung: 400V, 8A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 42ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: LPDS	Auf Lager21.528
RGT16NS65DGC9 Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A Leistung - max: 94W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 21nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 13ns/33ns Testbedingung: 400V, 8A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 42ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket: TO-262	Auf Lager22.284
RGT16NS65DGTL Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 16A 94W TO-263S Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A Leistung - max: 94W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 21nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 13ns/33ns Testbedingung: 400V, 8A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 42ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: LPDS (TO-263S)	Auf Lager8.766
RGT16TM65DGC9 Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single FIELD STOP TRENCH IGBT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 9A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A Leistung - max: 22W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 21nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 13ns/33ns Testbedingung: 400V, 8A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 42ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NFM	Auf Lager20.160
RGT30NL65DGTL Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single FIELD STOP TRENCH IGBT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Leistung - max: 133W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18ns/64ns Testbedingung: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 55ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: LPDS	Auf Lager12.654
RGT30NS65DGC9 Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Leistung - max: 133W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18ns/64ns Testbedingung: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 55ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket: TO-262	Auf Lager14.280
RGT30NS65DGTL Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 30A 133W TO-263S Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Leistung - max: 133W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18ns/64ns Testbedingung: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 55ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: LPDS (TO-263S)	Auf Lager4.122
RGT30TM65DGC9 Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single FIELD STOP TRENCH IGBT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Leistung - max: 32W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18ns/64ns Testbedingung: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 55ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NFM	Auf Lager20.760
RGT40NL65DGTL Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single FIELD STOP TRENCH IGBT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Leistung - max: 161W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 40nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/75ns Testbedingung: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 58ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: LPDS	Auf Lager7.542
RGT40NS65DGC9 Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Leistung - max: 161W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 40nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/75ns Testbedingung: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 58ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket: TO-262	Auf Lager12.234
RGT40NS65DGTL Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 40A 161W TO-263S Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Leistung - max: 161W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 40nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/75ns Testbedingung: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 58ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: LPDS (TO-263S)	Auf Lager8.748
RGT40TM65DGC9 Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single FIELD STOP TRENCH IGBT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 17A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Leistung - max: 39W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 40nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/75ns Testbedingung: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 58ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NFM	Auf Lager23.844
RGT40TS65DGC11 Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 40A 144W TO-247N Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Leistung - max: 144W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 40nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/75ns Testbedingung: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 58ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247N	Auf Lager6.744
RGT50NL65DGTL Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single FIELD STOP TRENCH IGBT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Leistung - max: 194W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 49nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 27ns/88ns Testbedingung: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 58ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: LPDS	Auf Lager20.772
RGT50NS65DGC9 Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Leistung - max: 194W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 49nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 27ns/88ns Testbedingung: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 58ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket: TO-262	Auf Lager14.958
RGT50NS65DGTL Rohm Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Leistung - max: 194W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 49nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 27ns/88ns Testbedingung: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 58ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: LPDS	Auf Lager19.992

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