RGT16TM65DGC9
Nur als Referenz
| Teilenummer | RGT16TM65DGC9 |
| PNEDA Teilenummer | RGT16TM65DGC9 |
| Beschreibung | FIELD STOP TRENCH IGBT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 20.160 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
RGT16TM65DGC9 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | RGT16TM65DGC9 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- RGT16TM65DGC9 Datasheet
- where to find RGT16TM65DGC9
- Rohm Semiconductor
- Rohm Semiconductor RGT16TM65DGC9
- RGT16TM65DGC9 PDF Datasheet
- RGT16TM65DGC9 Stock
- RGT16TM65DGC9 Pinout
- Datasheet RGT16TM65DGC9
- RGT16TM65DGC9 Supplier
- Rohm Semiconductor Distributor
- RGT16TM65DGC9 Price
- RGT16TM65DGC9 Distributor
RGT16TM65DGC9 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 9A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 24A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 8A |
| Leistung - max | 22W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 21nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 13ns/33ns |
| Testbedingung | 400V, 8A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-220NFM |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 28A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 7A Leistung - max 88W Schaltenergie 99µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 46nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/160ns Testbedingung 400V, 7A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 136ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 52A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 104A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A Leistung - max 200W Schaltenergie 490µJ (on), 680µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 38ns/160ns Testbedingung 480V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 15A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.98V @ 15V, 5A Leistung - max 83W Schaltenergie 80µJ (on), 70µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 14nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 8.5ns/106ns Testbedingung 400V, 5A, 60Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 195ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 6.5A Leistung - max 60W Schaltenergie 100µJ (on), 120µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/86ns Testbedingung 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 20A Leistung - max 250W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 105nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 1.35µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
