Transistoren

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NGTB30N120IHSWG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 30A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Leistung - max: 192W Schaltenergie: 1mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 220nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/210ns Testbedingung: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager5.382
NGTB30N120L2WG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 60A 534W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Leistung - max: 534W Schaltenergie: 4.4mJ (on), 1.4mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 310nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 116ns/285ns Testbedingung: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 450ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager6.384
NGTB30N120LWG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 30A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A Leistung - max: 560W Schaltenergie: 4.4mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 420nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 136ns/360ns Testbedingung: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager4.086
NGTB30N135IHR1WG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1350V 30A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1350V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 30A Leistung - max: 394W Schaltenergie: 630µA (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 220nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/200ns Testbedingung: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager5.346
NGTB30N135IHRWG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1350V 60A 394W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1350V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 30A Leistung - max: 394W Schaltenergie: 850µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 234nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/250ns Testbedingung: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager6.576
NGTB30N60FLWG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 250W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 700µJ (on), 280µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 170nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 83ns/170ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 72ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager6.858
NGTB30N60FWG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 167W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Leistung - max: 167W Schaltenergie: 650µJ (on), 650µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 170nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 81ns/190ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 72ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager4.968
NGTB30N60IHLWG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 30A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 280µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 130nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 70ns/140ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 400ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager3.436
NGTB30N60L2WG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 30A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A Leistung - max: 225W Schaltenergie: 310µJ (on), 1.14mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 166nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 100ns/390ns Testbedingung: 300V, 30A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 70ns Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager6.504
NGTB30N60SWG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 189W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A Leistung - max: 189W Schaltenergie: 750µJ (on), 540µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 90nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 57ns/109ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 200ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager2.880
NGTB30N65IHL2WG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 70A 300W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A Leistung - max: 300W Schaltenergie: 200µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/145ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 430ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager2.862
NGTB35N60FL2WG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 70A 300W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A Leistung - max: 300W Schaltenergie: 840µJ (on), 280µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 125nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 72ns/132ns Testbedingung: 400V, 35A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 68ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager7.392
NGTB35N65FL2WG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 70A 300W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A Leistung - max: 300W Schaltenergie: 840µJ (on), 280µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 125nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 72ns/132ns Testbedingung: 400V, 35A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 68ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager8.910
NGTB40N120FL2WAG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT FIELD STOP 1200V TO247-4 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max: 536W Schaltenergie: 1.7mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 313nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 30ns/145ns Testbedingung: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 240ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-4 Lieferantengerätepaket: TO-247-4L	Auf Lager7.104
NGTB40N120FL2WG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 80A 535W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max: 535W Schaltenergie: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 313nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 116ns/286ns Testbedingung: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 240ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager45.446
NGTB40N120FL3WG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 160A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max: 454W Schaltenergie: 1.6mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 212nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18ns/145ns Testbedingung: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 136ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager35.239
NGTB40N120FLWG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 40A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A Leistung - max: 260W Schaltenergie: 2.6mJ (on), 1.6mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 415nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 130ns/385ns Testbedingung: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 200ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager7.146
NGTB40N120IHLWG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 40A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 320A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A Leistung - max: 260W Schaltenergie: 1.4mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 420nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/360ns Testbedingung: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager8.856
NGTB40N120IHRWG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 80A 384W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 40A Leistung - max: 384W Schaltenergie: 950µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 225nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/230ns Testbedingung: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager7.200
NGTB40N120L3WG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 160A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Leistung - max: 454W Schaltenergie: 1.5mJ (on), 1.5mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 220nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18ns/150ns Testbedingung: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 86ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager6.193
NGTB40N120LWG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 40A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 320A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A Leistung - max: 260W Schaltenergie: 5.5mJ (on), 1.4mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 420nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 140ns/360ns Testbedingung: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager8.334
NGTB40N120S3WG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1.2KV 40A TO247-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A Leistung - max: 454W Schaltenergie: 2.2mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 212nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 12ns/145ns Testbedingung: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 163ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager15.528
NGTB40N120SWG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 40A 1200V TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max: 535W Schaltenergie: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 313nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 116ns/286ns Testbedingung: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 240ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager2.617
NGTB40N135IHRWG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1350V 80A 394W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1350V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A Leistung - max: 394W Schaltenergie: 1.3mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 234nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/250ns Testbedingung: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager6.156
NGTB40N60FL2WG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 80A 366W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Leistung - max: 366W Schaltenergie: 970µJ (on), 440µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 170nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 84ns/177ns Testbedingung: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 72ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager3.726
NGTB40N60FLWG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 80A 257W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Leistung - max: 257W Schaltenergie: 890µJ (on), 440µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 171nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 85ns/174ns Testbedingung: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 77ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager4.486
NGTB40N60IHLWG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 400µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 130nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 70ns/140ns Testbedingung: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 400ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager6.786
NGTB40N60L2WG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 80A 417W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.61V @ 15V, 40A Leistung - max: 417W Schaltenergie: 1.17mJ (on), 280µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 228nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 98ns/213ns Testbedingung: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 73ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager6.966
NGTB40N65FL2WG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 80A 366W TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Leistung - max: 366W Schaltenergie: 970µJ (on), 440µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 170nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 84ns/177ns Testbedingung: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 72ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager8.514
NGTB40N65IHL2WG ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 40A TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A Leistung - max: 300W Schaltenergie: 360µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/140ns Testbedingung: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 465ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager8.190

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