NGTB30N60L2WG
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| Teilenummer | NGTB30N60L2WG |
| PNEDA Teilenummer | NGTB30N60L2WG |
| Beschreibung | IGBT 600V 30A TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.504 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NGTB30N60L2WG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTB30N60L2WG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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NGTB30N60L2WG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 60A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 225W |
| Schaltenergie | 310µJ (on), 1.14mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 166nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 100ns/390ns |
| Testbedingung | 300V, 30A, 30Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 70ns |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Leistung - max 455W Schaltenergie 2.4mJ (on), 720µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 123nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/80ns Testbedingung 400V, 75A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 43.4ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads |
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