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NGTB30N60L2WG

NGTB30N60L2WG

Nur als Referenz

Teilenummer NGTB30N60L2WG
PNEDA Teilenummer NGTB30N60L2WG
Beschreibung IGBT 600V 30A TO247
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.504
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NGTB30N60L2WG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGTB30N60L2WG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
NGTB30N60L2WG, NGTB30N60L2WG Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 814,2 KB)
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NGTB30N60L2WG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.6V @ 15V, 30A
Leistung - max225W
Schaltenergie310µJ (on), 1.14mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge166nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.100ns/390ns
Testbedingung300V, 30A, 30Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)70ns
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

4.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

135nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/350ns

Testbedingung

720V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

IKB30N65EH5ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™ 5

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 30A

Leistung - max

188W

Schaltenergie

870µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/159ns

Testbedingung

400V, 30A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

FGP30N6S2

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

108A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

55µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6ns/40ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

FGH75T65SHD-F155

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

455W

Schaltenergie

2.4mJ (on), 720µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

123nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/80ns

Testbedingung

400V, 75A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

43.4ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

37A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 15A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

9.15mJ (on), 1.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

267nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/455ns

Testbedingung

1500V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

706ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

i4-Pac™-5 (3 Leads)

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

Kürzlich verkauft

RB481KTL

RB481KTL

Rohm Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V UMD4

L6221AD

L6221AD

STMicroelectronics

TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20SOIC

NFE31PT222Z1E9L

NFE31PT222Z1E9L

Murata

FILTER LC(T) 2200PF SMD

MC9S08LH36CLH

MC9S08LH36CLH

NXP

IC MCU 8BIT 36KB FLASH 64LQFP

MUR1100ERLG

MUR1100ERLG

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

IHLP1212BZER1R5M11

IHLP1212BZER1R5M11

Vishay Dale

FIXED IND 1.5UH 3.8A 32 MOHM SMD

SMAJ33CA

SMAJ33CA

Bourns

TVS DIODE 33V 53.3V SMA

M27C256B-12F1

M27C256B-12F1

STMicroelectronics

IC EPROM 256K PARALLEL 28CDIP

MMSZ5235BT1G

MMSZ5235BT1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123

REF196GSZ

REF196GSZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 3.3V 8SOIC

KSZ9031RNXIC

KSZ9031RNXIC

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 4/4 48QFN

GS-R424

GS-R424

STMicroelectronics

DC DC CONVERTER 24V 4A