NGTB30N60L2WG Datenblatt
NGTB30N60L2WG Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
NGTB30N60L2WG
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 30A Leistung - max 225W Schaltenergie 310µJ (on), 1.14mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 166nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 100ns/390ns Testbedingung 300V, 30A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 70ns Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
