NGTB35N60FL2WG
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| Teilenummer | NGTB35N60FL2WG |
| PNEDA Teilenummer | NGTB35N60FL2WG |
| Beschreibung | IGBT 600V 70A 300W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.392 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NGTB35N60FL2WG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTB35N60FL2WG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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NGTB35N60FL2WG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 70A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A |
| Leistung - max | 300W |
| Schaltenergie | 840µJ (on), 280µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 125nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 72ns/132ns |
| Testbedingung | 400V, 35A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 68ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1350V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.65V @ 15V, 20A Leistung - max 394W Schaltenergie 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 234nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/245ns Testbedingung 600V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 10A Leistung - max 115W Schaltenergie 83µJ (on), 140µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 57nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19.5ns/103ns Testbedingung 400V, 10A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 107ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller IXYS Serie XPT™, GenX4™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 340A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 840A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 120A Leistung - max 1200W Schaltenergie 5.75mJ (on), 2.67mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 250nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 54ns/270ns Testbedingung 400V, 100A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 105ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™, Lightspeed™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A Leistung - max 54W Schaltenergie 70µJ (on), 120µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 9ns/65ns Testbedingung 480V, 7A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 (IXGA) |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 66A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 133A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.3V @ 15V, 30A Leistung - max 416W Schaltenergie 2.6mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 69nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/130ns Testbedingung 600V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 195ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 (IXYH) |
