IXYH30N120C3D1
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXYH30N120C3D1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IXYH30N120C3D1 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 66A 416W TO247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | IXYS | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 20 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 16 - Jun 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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IXYH30N120C3D1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXYH30N120C3D1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXYH30N120C3D1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 66A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 133A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.3V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 416W |
| Schaltenergie | 2.6mJ (on), 1.1mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 69nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 19ns/130ns |
| Testbedingung | 600V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 195ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 (IXYH) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 30A Leistung - max 454W Schaltenergie 1.46mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/511ns Testbedingung 600V, 30A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.35V @ 15V, 32A Leistung - max 300W Schaltenergie 950µJ (on), 2.9mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 110nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/334ns Testbedingung 480V, 32A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 (IXGA) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 31A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 17A Leistung - max 100W Schaltenergie 630µJ (on), 1.39mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 51nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 42ns/230ns Testbedingung 480V, 17A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A Leistung - max 56W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 40nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/73ns Testbedingung 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PFM |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 12A Leistung - max 100W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
