NGTB30N65IHL2WG
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| Teilenummer | NGTB30N65IHL2WG |
| PNEDA Teilenummer | NGTB30N65IHL2WG |
| Beschreibung | IGBT 600V 70A 300W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.862 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 23 - Jun 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NGTB30N65IHL2WG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTB30N65IHL2WG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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NGTB30N65IHL2WG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 300W |
| Schaltenergie | 200µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 135nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | -/145ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 430ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 30A Leistung - max 480W Schaltenergie 1.1mJ (on), 21mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 225nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/250ns Testbedingung 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 35ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 130A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 250A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 40A Leistung - max 340W Schaltenergie 743µJ (on), 560µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 195nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/240ns Testbedingung 390V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 30A Leistung - max 348W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 78nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Leistung - max 420W Schaltenergie 2.8mJ (on), 2.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 345nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/240ns Testbedingung 600V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 210ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 192A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 48A Leistung - max 300W Schaltenergie 1.7mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 150nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 70ns/140ns Testbedingung 400V, 48A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
