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RGS60TS65DHRC11

RGS60TS65DHRC11

Nur als Referenz

Teilenummer RGS60TS65DHRC11
PNEDA Teilenummer RGS60TS65DHRC11
Beschreibung 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT.
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 7.632
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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RGS60TS65DHRC11 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRGS60TS65DHRC11
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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RGS60TS65DHRC11 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)56A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 30A
Leistung - max223W
Schaltenergie660µJ (on), 810µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge36nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.28ns/104ns
Testbedingung400V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)103ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247N

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 15A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

1.75mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

69nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/180ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

SKP02N120XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6.2A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

9.6A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 2A

Leistung - max

62W

Schaltenergie

220µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

11nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/260ns

Testbedingung

800V, 2A, 91Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

IXDH30N120

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

76A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

4.6mJ (on), 3.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 30A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXDH)

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 45A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

69nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

SGP07N120XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

27A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 8A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

1mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/440ns

Testbedingung

800V, 8A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

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39213150000

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