RGS60TS65DHRC11
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| Teilenummer | RGS60TS65DHRC11 |
| PNEDA Teilenummer | RGS60TS65DHRC11 |
| Beschreibung | 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT. |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.632 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RGS60TS65DHRC11 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGS60TS65DHRC11 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGS60TS65DHRC11 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 56A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 90A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 223W |
| Schaltenergie | 660µJ (on), 810µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 36nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 28ns/104ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 103ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247N |
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Hersteller IXYS Serie GenX4™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 240A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 630A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 110A Leistung - max 880W Schaltenergie 2.2mJ (on), 1.05mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 183nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 38ns/156ns Testbedingung 400V, 55A, 2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
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