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IXGA15N120B

IXGA15N120B

Nur als Referenz

Teilenummer IXGA15N120B
PNEDA Teilenummer IXGA15N120B
Beschreibung IGBT 1200V 30A 150W TO263AA
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.506
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IXGA15N120B Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGA15N120B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGA15N120B, IXGA15N120B Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 51,8 KB)
PDFIXGA15N120B Datenblatt Cover
IXGA15N120B Datenblatt Seite 2

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IXGA15N120B Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 15A
Leistung - max150W
Schaltenergie1.75mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge69nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/180ns
Testbedingung960V, 15A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263 (IXGA)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 12A

Leistung - max

75W

Schaltenergie

115µJ (on), 135µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/60ns

Testbedingung

300V, 12A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3PF

STGW19NC60H

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

42A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

85µJ (on), 189µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/97ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

RJH60D2DPP-M0#T2

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 12A

Leistung - max

34W

Schaltenergie

100µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/85ns

Testbedingung

300V, 12A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FL

APT50GR120L

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

117A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 50A

Leistung - max

694W

Schaltenergie

2.14mJ (on), 1.48mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

445nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/237ns

Testbedingung

600V, 50A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.62V @ 15V, 5A

Leistung - max

38W

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Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

49ns/97ns

Testbedingung

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

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